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SI2305CDS-T1-GE3库存信息

更新时间:2021-01-28 09:16:00
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SI2305CDS-T1-GE3中文资料

功能描述:MOSFET 8.0V 5.8A 1.7W 35mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2305CDS-T1-GE3 PDF资料

型号: SI2305CDS-T1-GE3 前往资料站下载: 下载
原厂全称: VBsemi Electronics Co. Ltd 原厂简称: VBSEMI
页数: 9 文件大小: 1010 /kb
说明: P-Channel 20-V (D-S) MOSFET