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SI2305CDS-T1-GE3库存信息
更新时间：2021-01-28 09:16:00- 型号
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- SI2305CDS-T1-GE3
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SI2305CDS-T1-GE3中文资料
功能描述:MOSFET 8.0V 5.8A 1.7W 35mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2305CDS-T1-GE3 PDF资料
| 型号： | SI2305CDS-T1-GE3 | 前往资料站下载： | 下载 |
| 原厂全称： | VBsemi Electronics Co. Ltd | 原厂简称： | VBSEMI |
| 页数： | 9 | 文件大小： | 1010 /kb |
| 说明： | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | ||
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