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SI4214DDY-T1-GE3库存信息
更新时间：2021-01-19 14:21:00- 型号
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- SI4214DDY-T1-GE3
- VISHAY
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SI4214DDY-T1-GE3中文资料
功能描述:MOSFET 30V 8.5A 3.1W 19.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4214DDY-T1-GE3 PDF资料
| 型号： | SI4214DDY-T1-GE3 | 前往资料站下载： | 下载 |
| 原厂全称： | Vishay Intertechnology, Inc. | 原厂简称： | VISHAY |
| 页数： | 10 | 文件大小： | 243 /kb |
| 说明： | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | ||
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